Millised on erinevused räninitriidi substraadi ja substraadi vahel?

Peamised erinevusedräni nitriidi substraatja substraat on nende määratlused, kasutusalad ja omadused. ‌

1. Definitsioon ja kasutamine

Räninitriidsubstraat:Räninitriidi substraaton keraamiline materjal, mida kasutatakse peamiselt jõupooljuhtseadmete, eriti toitemoodulite valmistamisel. Sellel on kõrge soojusjuhtivus, kõrge mehaaniline tugevus ja hea termiline sobivus ning see sobib rakendusteks, mis nõuavad suurt töökindlust ja kõrget temperatuurikindlust. ‌Substraat‌: substraat viitab tavaliselt kiibi valmistamisel kasutatavale alusstruktuurile. Levinud alusmaterjalide hulka kuuluvad monokristallilised räniplaadid, SOI-substraadid, SiGe-substraadid jne. Substraadi valik sõltub konkreetsetest rakendusnõuetest, nagu integraallülitused, mikroprotsessorid, mälu jne. ‌

2. Omaduste võrdlus ‌

Räninitriidsubstraat‌ ‌

Kõrge soojusjuhtivus‌: räninitriidi soojusjuhtivus on 80 W/m·K või rohkem, mis sobib suure võimsusega seadmete soojuse hajumise vajadusteks. Kõrge mehaaniline tugevus: sellel on kõrge paindetugevus ja suur purunemiskindlus, mis tagab selle kõrge töökindluse. ‌ ‌ Soojuspaisumise koefitsiendi sobitamine ‌: see on väga sarnane SiC kristallsubstraadiga, tagades nende kahe vahel stabiilse sobivuse ja suurendades üldist töökindlust.

Substraat ‌

Erinevat tüüpi ‌: kaasa arvatud monokristallilised räniplaadid, SOI-substraadid, SiGe-substraadid jne, on igal substraadimaterjalil oma spetsiifiline kasutusvaldkond ja jõudluse eelised.

Lai kasutusala: kasutatakse erinevat tüüpi kiipide ja seadmete (nt integraallülitused, mikroprotsessorid, mälu jne) valmistamiseks.

3. Rakenduse stsenaariumid

‌Räninitriidsubstraat ‌: kasutatakse peamiselt suure võimsusega seadmete jaoks sellistes valdkondades nagu uued energiasõidukid ja kaasaegsed transpordirajad. Tänu oma suurepärasele soojuseraldusvõimele, mehaanilisele tugevusele ja stabiilsusele sobib see kõrgete töökindlusnõuete täitmiseks keerukates keskkondades ‌.

Substraat: kasutatakse laialdaselt erinevates kiipide tootmises ja konkreetne rakendus sõltub substraadi tüübist. Näiteks monokristallidest räniplaate kasutatakse laialdaselt integraallülituste ja mikroprotsessorite valmistamisel, SOI-substraadid sobivad suure jõudlusega väikese võimsusega integraallülituste jaoks ning SiGe-substraate kasutatakse heterotransistoride bipolaarsete transistoride ja segasignaali ahelate jms jaoks.